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Si7216DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
V GS = 10 thr u 5 V
2.0
16
12
8
4 V
1.6
1.2
0. 8
T C = 125 °C
4
0.4
25 °C
0
3 V
0.0
- 55 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.05
0.04
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
8 00
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
V GS = 4.5 V
400
0.03
V GS = 10 V
200
C oss
0.02
0
6
12
1 8
24
30
0
0
C rss
8
16
24
32
40
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 5 A
I D = 5 A
V GS = 10 V
8
6
V DS = 20 V
V DS = 40 V
1.5
V GS = 4.5 V
V DS = 30 V
1.2
4
0.9
2
0
0
3
6
9
12
15
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73771
S11-1142-Rev. C, 13-Jun-11
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